SK하이닉스, 차세대 D램 토토사이트 확인 발표…30년 이끈다

SK하이닉스가 10나노 이하 초미세 D램 제조 한계를 돌파할 차세대 토토사이트 확인을 도입한다.

차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장(CTO·부사장)은 10일 반도체 회로·공정 기술 분야 학술대회인 IEEE VLSI 심포지엄 2025에서 차세대 D램 기술 로드맵 발표를 통해 기술적 한계를 돌파하기 위한 미래 D램 기술인 '4F²(4F 스퀘어) VG(수직 게이트)' 플랫폼 도입을 공식화했다.

IEEE VLSI 심포지엄은 차세대 반도체와 AI 칩, 메모리, 패키징 등 최첨단 연구 성과를 발표하는 행사로, 매년 미국과 일본에서 번갈아 열린다. 올해는 오는 12일까지 일본 교토에서 열린다.

차 CTO는 "현재의 테크 플랫폼을 적용한 미세 공정은 점차 성능과 용량을 개선하기 어려운 국면에 접어들고 있다"며 "이를 극복하기 위해 10나노 이하에서 구조와 소재, 구성 요소의 혁신을 바탕으로 '4F² VG' 플랫폼과 3D D램 기술을 준비해 기술적 한계를 돌파하겠다"고 밝혔다.

4F²VG 플랫폼은 D램의 셀 면적을 최소화하고 수직 게이트 구조를 통해 고집적, 고속, 저전력 D램 구현을 가능하게 하는 차세대 메모리 기술이다. 4F²을 적용하면 D램에서 데이터 저장 단위인 '셀(Cell)' 하나가 차지하는 면적(F²)이 '2F×3F''(F는 최소 선폭의 단위)에서 '2Fx2F'로 줄어든다. 같은 크기의 칩에 더 많은 셀을 넣어 고용량 메모리를 만들 수 있다. 트랜지스터의 스위치 역할을 하는 게이트(Gate)를 수직으로 세우는 VG 기술까지 적용해 셀 효율은 물론 전기적 특성까지 개선되는 효과를 기대할 수 있다.

차 CTO는 3D D램도 차세대 D램 토토사이트 확인의 핵심 축으로 제시했다. 업계에선 3D D램 토토사이트 확인의 제조 비용이 적층 수에 비례해 증가할 수 있다는 관측이 있지만, SK하이닉스는 토토사이트 확인 혁신을 통해 이를 극복하고 경쟁력을 확보하겠다는 방침이다.

아울러 핵심 소재와 D램 구성 요소 전반에 대한 토토사이트 확인 고도화를 추진해 새로운 성장 동력을 확보하고, 이를 통해 향후 30년간 D램 토토사이트 확인 진화를 지속할 수 있는 기반을 구축하겠다는 계획도 전했다.

차 CTO는 "2010년 전후만 하더라도 D램 기술은 20나노가 한계라는 전망이 많았으나 지속적인 기술 혁신을 통해 현재에 이르게 됐다"며 "앞으로 D램 기술 개발에 참여할 젊은 엔지니어들의 이정표가 될 중장기 기술 혁신 비전을 제시하고, 업계와 함께 협력해 D램의 미래를 현실로 만들어 가겠다"고 밝혔다.

김채연 기자 why29@hankyung.com